ООО "Электровыпрямитель - Север" Санкт-Петербург Преобразовательная техника. Поставка, монтаж, гарантия, сервис. Силовые полупроводниковые приборы. Охладители и запасные части. Комплексная поставка электронных компонентов.
Главная → Продукция → Силовая электроника

Силовой IGBT модуль М2ТКИ-75-06

Силовой IGBT модуль М2ТКИ-50-06 Основные особенности:
  • полумост
  • встроенные быстродействующие диоды обратного тока
  • корпус с изолированным основанием
  • диагностические выводы коллектора для контроля VCE (устанавливаются по требованию потребителя)
  • Масса 0,18 кг

Максимально допустимые значения параметров.

Наименование параметра Условное обозначение Значение параметра Единица измерения
Напряжение коллектор-эмиттер VCE 600 В
Напряжение затвор-эмиттер VGE ±20
Постоянный ток коллектора
при TC=25°C
при TC=75°C
IC  
100
75
А
Повторяющийся импульсный ток коллектора (tp=1 мс, TC=75°C) ICpuls 150
Постоянный прямой ток диода обратного тока IF 75
Повторяющийся импульсный прямой ток диода обратного тока IFRM 150
Параметр I2t для диода обратного тока (tp=10 мс, Tj=125°C) I2t 0.45 кА2с
Суммарная мощность рассеивания IGBT, (на один ключ, TC=25 °C) Ptot 355 Вт
Максимальная температура перехода Tj +150 °C
Температура хранени Tstg - 40…+125
Напряжение изоляции (t = 1 мин.) Visol 2500 В (эфф)


Тепловые параметры.

Наименование параметра Условное обозначение Значение параметра Единица измерения
Тепловое сопротивление переход-корпус,IGBT (на один ключ) Rthjc ≤0.35 °C/Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус, диод обратного тока (на один ключ) RthjcD ≤0.66
Тепловое сопротивление корпус-охладитель, λpaste = 1 Вт/м ·°С на модуль Rthck ≤0.03


Электрические характеристики (при 25 °C, если не указано иное значение)

Наименование параметра Условное обозначение Значение параметра Единица измерения
мин. тип. макс.
Статические характеристики
Пороговое напряжение затвор-эмиттер (VGE=VCE, IC=1.5 мА) VGE(th) 4.5 5.5 6.5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VGE=15 В, IC=75 А)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
VCEsat  
 
-
-
 
 
1.95
2.2
 
 
2.45
-
Ток утечки коллектор-эмиттер (VCE=600 В, VGE=0 В)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
ICES  
-
-
 
0.001
1
 
0.5
-
мА
Ток утечки затвор-эмиттер (VGE=20 В, VCE=0 В) IGES - - 400 нА
Характеристики на переменном токе
Входная емкость (VCE=25 В, VGE=0 В, f=1 МГц) Cies - 3.3 - нФ
Обратная переходная емкость (VCE=25 В, VGE=0 В, f=1 МГц) Cres - 0.3 -
Характеристики переключения (индуктивная нагрузка, при Tj=125°C)
Время задержки включения (VCC=300 В, VGE=±15 В, IC=75 А, RG=3.0 Ом)
при Tj = 25°C
при Tj = 125°C
td(on)  
 
-
-
 
 
0.063
0.065
 
 
-
-
мкс
Время нарастания (VCC=300 В, VGE=±15 В, IC=75 А, RG=3.0 Ом)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
tr  
 
-
-
 
 
0.022
0.025
 
 
-
-
Время задержки выключения (VCC=300 В, VGE=±15 В, IC=75 А, RG=3.0 Ом)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
td(off)  
 
-
-
 
 
0.155
0.17
 
 
-
-
Время спада (VCC=300 В, VGE=±15 В, IC=75 А, RG=3.0 Ом)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
tf  
-
-
 
0.02
0.035
 
-
-
Энергия потерь при включении (VCC=300 В, VGE=±15В, IC=75 А, RG=3.0 Ом, Tj=125°C, LS=30 нГн, за один импульс) Eon - 0.7 - мДж
Энергия потерь при выключении(VCC=300 В, VGE=±15 В, IC=75 А, RG=3.0 Ом, Tj=125°C, LS=30 нГн, за один импульс) Eoff - 2.4 - мДж
Характеристики диода обратного тока
Прямое падение напряжения (IF=75 А, VGE=0 В)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
VF  
-
-
 
1.25
1.2
 
 1.6
-
В
Ток обратного восстановления (IF=75 А, VGE=-10 В, VR=300 В, diF/dt=-3000 А/мкс)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
IRM  
 
-
-
 
 
95
115
 
 
-
-
А
Заряд обратного восстановления (IF=75 А, VGE=-10 В, VR=300 В, diF/dt=-3000 А/мкс)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
Qrr  
 
-
-
 
 
5.1
7.9
 
 
-
-
мкКл
Энергия потерь при обратном восстановлении
(IF=75 А, VGE=-10 В, VR=300 В, diF/dt=-3000 А/мкс)
при Tj=25°C
при Tj=125°C
Erec  
 
-
-
 
 
-
2.3
 
 
-
-
мДж


Типовые выходные характеристики.
  • IC = f(VCE)
  • Режим измерения: VGE=+15 В, Tj=25, 125°C
Типовые выходные характеристики силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06
  • IC = f(VCE)
  • Режим измерения: Tj=125°C
Типовые выходные характеристики силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06

Типовые передаточные характеристики.
  • IC = f(VGE)
  • Режим измерения: VCE=20 В, Tj=25, 125°C
Типовые передаточные характеристики силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06

Типовые прямые характеристики диода обратного тока.
  • IF = f(VF)
  • Режим измерения: Tj=25, 125°C
Типовые прямые характеристики диода обратного тока

Типовые зависимости коммутационных потерь.
  • E = f(IC), индуктивная нагрузка
  • Режим измерения: VCE=300 B, VGE=±15 B, RG=3.0 Ом, Tj=125°C
Типовые зависимости коммутационных потерь силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06

Типовые зависимости коммутационных потерь.
  • E = f(RG), индуктивная нагрузка
  • Режим измерения: IC=75 А, VCE=300 В, VGE=±15 B, Tj=125°C
Типовые зависимости коммутационных потерь силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06

Переходное тепловое сопротивление.
  • Zthjc=f(tp)
Переходное тепловое сопротивление силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06

Обратная область безопасной работы.
  • IC puls =f(VCE)
  • Режим измерения: RG=3.0 Ом, Tj=125°C
Обратная область безопасной работы силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06

Схема электрическая принципиальная.

Схема электрическая принципиальная силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06

Примечание:
дополнительные диагностические выводы коллектора (выводы "9" и "11" по схеме) устанавливаются по требованию потребителя.

Габаритные и установочные размеры.

Габаритные и установочные размеры силового IGBT модуля М2ТКИ-75-06
 

Наверх

ООО "Электровыпрямитель-Север" 190020, С.-Петербург, Старо-Петергофский пр.40, лит.А; тел/факс:(812)308-0512 (многоканальный); e-mail: